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其中,有几下几种方式可供选择。门作,无带电防护,断路器上端带母排带防护板,采用单层门,直接将断路器作手柄凸出到柜门外。要对带电部件的防护方式到了解选择低压关柜时柜体结构与带电防护要求:为保护作维护人员人身安全采用双层门作防护性能高。是现今信息社会的基石。根据半导体设备材料产业协会(SEMI)的报告,全球大直径硅单晶的需求依然旺盛,450mm硅单晶要继续发研究。当前主流集成电路设备用部件急需400mm硅单晶并提出低成本的要求,发400mm硅单晶和研究晶体的工艺过程,无疑具有重要的理论意义和现实需求。同时,发下一代450mm集成电路用硅晶体,研究外加磁场对改善晶体质量的作用。广泛应用于集成电路备件和硅片领域大直径硅单晶的与数值分析\大直径硅单晶是微电子工业的基础材料对于我国未来450mm硅片具有重要的战略意义。本文从晶体生长物理基础和流体力学的基本理论出发采用28inch和32inch热场出400mm和45。
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?,一般都采用作系统来控制分,合闸,特别是当设备出了故障时,需要关自动切断电路,要有一套自动控制的电气作设备,对供电设备进行自动控制,2,保护能:电气设备与线路在运行过程中会发生故障,电流(或电压)会超过设备与线路允许工作的范围与限度,这需要一套检测这些故障信号并对设备和线路进行自动调整(断,切换等)的保护设备。分子泵,真空泵,真空流量计,plc编程,控制屏,离子泵,涡轮分子泵,螺杆真空泵,涡旋高真空泵,且可减少热 能及氩气消耗的直拉式单晶生长炉。实现本发明目的的技术方案是一种直拉式单晶生长炉,其包括 氩气输入管,与氩气输入管相连通的环形气体分布器,其特征在于经氩 气输入管输入的氩气气压为0. 8xl03Pa0. 9xl03Pa,氩气流量为 30L/min。上述技术方案中。本发明的目的是一种易于及时排出炉内的混合气体发明内容还包括设于直拉式单晶生长炉的坩埚支持器下方和 该部的排气口之间的气流导向装置以防止 因该中轴孔与石墨中轴之间的间隙而漏气抗氧化(2)本发明 的直拉式单晶生长炉中整个炉内的一氧化硅与氩气的混合气体(包 括坩埚支持器下方的混合气体)能通畅地排出炉外本发明的气流导向装置的一对通气孔与该炉的 一对排气口相 对设置,缩短了排气管路,利于提高排气效率。